LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于基底材料和晶圓生長技術(shù)。基底材料除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石材料、硅(Si)、碳化硅(SiC)以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前研究的焦點(diǎn)。無論是重點(diǎn)照明和整體照明的大功率芯片，還是用于裝飾照明和一些簡單輔助照明的小功率芯片，技術(shù)提升的關(guān)鍵均圍繞如何研發(fā)出更高效率、更穩(wěn)定的芯片。因此，提高LED芯片的效率成為提升LED照明整體技術(shù)指標(biāo)的關(guān)鍵。近些年，借助芯片結(jié)構(gòu)、表面粗化、多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計等一系列技術(shù)的改進(jìn)，LED在發(fā)光效率方面獲得重大突破。隨著該技術(shù)的不斷成熟，LED量子效率將會得到進(jìn)一步的提高，未來LED芯片的發(fā)光效率也會隨之攀升。

　　封裝技術(shù)

　　在LED產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)中，封裝和應(yīng)用位于產(chǎn)業(yè)鏈中下游，完成將LED產(chǎn)品由芯片向管芯(Diode)及器件轉(zhuǎn)變并**終實(shí)現(xiàn)照明應(yīng)用產(chǎn)品，是LED產(chǎn)品作為半導(dǎo)體照明光源真正進(jìn)入市場并取代傳統(tǒng)照明光源的直接環(huán)節(jié)。LED封裝技術(shù)借鑒了分立器件封裝技術(shù)，并有很大的特殊性，即除了常規(guī)的電氣互連和機(jī)械性保護(hù)以確保管芯正常工作的同時，更強(qiáng)調(diào)光學(xué)、熱學(xué)方面的設(shè)計創(chuàng)新和技術(shù)要求。熱學(xué)、光學(xué)、電學(xué)方面的技術(shù)進(jìn)步必然要求具有更優(yōu)良熱學(xué)性能、光學(xué)性能以及電學(xué)性能的高性能、新型封裝材料的出現(xiàn)。而作為具體的應(yīng)用方案，也要求人們提出更好、更優(yōu)、更具有創(chuàng)新精神的新的封裝格式。可以說LED封裝技術(shù)的進(jìn)步，必須綜合考慮相關(guān)領(lǐng)域材料特性、結(jié)構(gòu)性能以及彼此影響，是材料學(xué)、電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)的交叉領(lǐng)域研究課題。

　　目前在封裝技術(shù)中用得較多的是單顆芯片封裝和多芯片整合組件封裝兩種形式，并有正面出光封裝、倒裝LED、垂直結(jié)構(gòu)LED封裝等多種方案，三維封裝的思路和概念也被提出。

　　單顆芯片封裝是封裝技術(shù)中應(yīng)用**多的，其主要的技術(shù)瓶頸在于芯片的良率、色溫的控制及熒光粉的涂敷技術(shù)等。多芯片整合組件是目前大功率LED組件**常見的另一種封裝形式，可區(qū)分為小功率和大功率芯片整合組件兩類，前者以六顆低功率芯片整合的1瓦大功率LED組件**典型，此類組件的優(yōu)勢在于成本較低，是目前不少大功率組件的主要制作途徑。大功率芯片通過優(yōu)化設(shè)計，可使**終產(chǎn)品的熱阻控制在每瓦3.1℃，同時可以驅(qū)動高達(dá)15瓦的高功率。該封裝的優(yōu)勢在于在很小的空間內(nèi)達(dá)到很高的光通量。

　　隨著LED芯片的功率密度越來越大，多芯片、大功率封裝需求會進(jìn)一步增加。

　　模組技術(shù)

　　模組技術(shù)包括了LED光源、光源的排列組合以及驅(qū)動電源等。因LED正向工作時，LED正向電壓相對變化區(qū)域很小，為保證LED驅(qū)動電流的恒定也就是確保LED輸出功率的恒定。另外，調(diào)光設(shè)計也是目前驅(qū)動電路的主流設(shè)計之一，這在一些情景照明中應(yīng)用較多，根據(jù)不同環(huán)境調(diào)配不同亮度，充分達(dá)到節(jié)能效果。目前驅(qū)動器的主要設(shè)計方向圍繞在提高電源功率因子、降低耗電量、提高控制精度及加快響應(yīng)速度為主。除了驅(qū)動電源的設(shè)計之外，PCB布線及串并聯(lián)方式也是設(shè)計考慮。在實(shí)際應(yīng)用中，LED模組在結(jié)構(gòu)方面和電子方面也存在很大的差異。

　　“芯片、器件、封裝與模組技術(shù)”分會將對以上各研究方向進(jìn)行充分討論，并尋求解決方案。